ディスクリート半導体＃９ SiCエピタキシャル成長 2

　成長速度を速くするためのプロセスには、高い Si 過飽和での Si クラスター形成を低減するために、低成長圧力での SiH4 （シラン）を使用し、SiH4 に HCl を添加して気相またはクロロシラン（TCS）前駆体で SiCl2 分子を形成することが必要とされている 。成長時に均一性を保つことと、エピ欠陥率を低く抑えることが重要である。反応チャンバー内の寄生成長は前駆体の種類の選択によって大きく影響される。また、H2 キャリアガスに混合されたトリクロロシラン (TCS) と C3H8 （プロパン）によって広い範囲での均一な成長速度を得ることができる。Fig３ は、SiC 成長速度の TCS 分圧に対する線形依存性を示している。最大 50 µm/h の成長速度を達成できることを示したデータである。＊前駆体：前駆体というのは、化学反応によって、ある物質が生成される前の段階にある物質をさす。