江澤 弘和氏
タイトル：「半導体デバイスの高性能化･多機能化を支える金属材料 ー中間領域プロセスの視座からー」
高性能化と高信頼化が急速に進む世界の半導体には日本の材料技術は不可欠です。なかでもその性能を引き出すための材料（銅、錫、銀など）の視点からお話します。
江澤 弘和氏 プロフィール
【略 歴】
1985年4月 京大院･工･金属（磁性物理学講座、現、材料機能学講座）修士課程修了後、（株）東芝入社
Siウェーハの高品位化開発従事を経て、Si CMOSデバイスのプロセス開発部門にて
金属薄膜成膜、多層配線形成、中間領域技術の開発に従事
2015年2月 学位取得（早大院・情報生産システム研究科（先進材料）博士後期課程修了）
同年9月（株）東芝（プロセス技術開発主幹）定年退職
同年10月 東芝メモリシステムズ（株）入社、（株）東芝へ出向（メモリ事業部）
2018年4月 神奈工大･工（電気電子情報）非常勤講師兼務を開始（電気電子材料担当）
2019年9月 東芝メモリシステムズ（株）定年退職
2020年5月 ezCoworksコンサルティング（個人事業主）を開業、現在に至る.
