強誘電体デバイスはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の三次元センサやアクチュエーター、インクジェットプリンター、超音波診断装置などに採用されている。その中、次世代メモリFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)向け強誘電体材料として酸化ハフニウム(HfO2)が有力視されているが、まだ本格実用化に至っていない。HfO2の最新研究を紹介する。
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