新着情報

2024/03/04   中国 国軒高科(g...
2024/03/04   第9回 Batte...
2024/03/04   EU”バッテリー規...
2024/03/04   世界初の製品を生み...
2024/03/04   世界の電子機器、電...
2024/03/04   2024年2月LM...
2024/03/04   2024年2月LM...
2024/03/04   週刊バッテリートピ...
2024/03/02   MARKET TA...
2024/03/01   HUAWEIの住宅...
2024/03/01   日本電気硝子 ガラ...
2024/03/01   アルミ合金&スクラ...
2024/03/01   「第9回 Batt...
2024/03/01   住友電工 レドック...
2024/03/01   住友商事:IHI、...
2024/03/01   JFEスチール:「...
2024/03/01   三菱マテリアル:安...
2024/03/01   ニッケル価格、底入...
2024/03/01   チタンについて(品...
2024/03/01   水酸化リチウム輸入...

(新材料研究最前線#3)  半導体メモリ材料ハフニウムの今

強誘電体デバイスはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の三次元センサやアクチュエーター、インクジェットプリンター、超音波診断装置などに採用されている。その中、次世代メモリFeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)向け強誘電体材料として酸化ハフニウム(HfO2)が有力視されているが、まだ本格実用化に至っていない。HfO2の最新研究を紹介する。
この記事は会員限定です。お申込み確定後に続きをお読みいただけます。

今すぐ会員登録する ログイン

関連記事

関連記事をもっと見る