Discrete Semiconductor
１） Nidecニデックは6月６日、ルネサスエレクトロニクスと共同開発する次世代の半導体を２０２４年にも投入予定のＥＶ駆動装置「e-Axleイーアクスル」の第３世代に搭載することを明らかにした。同社の副最高技術責任者で半導体ソリューションセンター所長を務める大村隆司常務執行役によると、いい技術が開発できれば第２世代にも活用する可能性がある。今年度中に試作品を仕上げたい考えである。ＥＶモーターは中国で急拡大している。複数の部品を統合した駆動装置の需要が広がりをみせており、半導体は性能や品質、コストを左右する重要な要素となっている。両社は５日、主要部品をモーター、インバーター、ギヤの３部品から充電器、コンバーター、配電ユニットを加えた６部品にした次世代品を協業で開発すると発表。まずはＳｉＣ（炭化ケイ素）製のパワー半導体を搭載するが、将来的にはＧａＮ（窒化ガリウム）に置き換えることで、小型化と低コスト化を図るとした。
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