1 パワー半導体市場動向
2022年から2025年にかけて、パワー半導体市場は年平均約5〜7%で成長しているが、その中でSiC（炭化ケイ素）パワー半導体はこれを大きく上回り、年平均20〜30%の高成長を続けている。ただ、2024年はEV市場の停滞で一時的に鈍化したが、2025年後半から再加速が見込まれている。表1-1,1-2参照
SiCはEV用途が全体の8割弱を占める。おもにトラクションモータSCU,OBC（On-Board Chargerの略で、EVやプラグインハイブリッド車PHEVに搭載される車載充電器のことで）、外部のAC電源家庭用100V/200Vや公共充電スタンドから電力供給を受けとり、車両のDCバッテリーに充電する。SiC MOSFET, SiC SBDなどのパワーデバイスと制御ICで構成される。
２ 世界のSiC（シリコンカーバイト）パワー半導体ランキング
表２は2024年度、世界のSiCパワー半導体企業ランキングである。Siを含めたすべてのパワー半導体ランキングではNo3にInfineon Technologiesがトップであるが、SiCではSTマイクロエレクトロニクスが約＄1,360Mである。1位から7位までは欧米、日本企業で占められているが、8位、10位には中国企業が進出している。しかもBYDは2025年には約$900Mと予定されており、2位あるいは3位に飛躍するものと思われる。これはEV向け社内供給と外販拡大によるものである。ソース：TechInsights, QYResearch, 富士経済レポート（2025年）
なお、ここで注意を要するのが、欧米や日本ではAEC-Q101 をクリアしなければ販売できないことが多い。
一方、中国のEVメーカーはAEC-Q101準拠に“必ずしも縛られているわけではない”。特にBYD、NIO、XPeng、Geelyなどの国内系OEMは、自社設計・自社評価基準を優先する傾向があり、AEC-Q101は参考基準として扱われることが多い。これはEVメーカーが中国域内で販売する場合は、安価なデバイスを購入することが可能であるということである。後日個々のSiCのデバイス価格が欧米日メーカーとどの程度価格差があるかを説明する。
ここではSiCデバイスで標準的な製品であるSiC MOSFET、①650V,50A,②106A,③150A, ④750V, 50A, ⑤750V,150A,⑥1200V, 50A,⑦1200V,104A、７種類の価格差がどの程度であるかを調査した。その結果をグラフ1に示す。
グラフ１補足説明
- B, Dは欧米メーカー、Cは日本のメーカー D、Eは中国のメーカーである。
中国メーカーはSiCインゴット、ウエハ価格がグローバル企業の60％程度で安く購入することができる。またウエハからパッケージまで一貫製造することで安価なSiCデバイスを供給できるようだ。
(IRuniverse 椿匡之)
