■キオクシアの強力な競争力の源泉は？
・数年前のキオクシアは、積層技術で他社に後れを取り、シェア下落が止まらない状況であった。しかし、今はハイパースケラーを中心にキオクシアのNANDの取合になっている。これはNAND不足も要因の1つであるが、他社のNANDよりも強力な競争力を有していることが最大の要因である。
・キオクシアの競争力は、他社よりも2～3割の高速性を実現している。
積層数では218層と、他社の300層越えには全く及ばないが、AI向けは高速性が最優先なのです。この高速性を実現する技術が「割り合わせ技術」である。
メモリセルと制御回路を別々に製造し、最後に張り合わせる技術で、他社を寄せ付けない精度を実現しているのです。
これは、CMOSイメージングセンサーのソニーがセンサー部と信号処理読み出し部を貼り合わせることによって、処理時間を短縮し画像品質を飛躍的に向上させたテクノロジーとよく似ている。
キオクシアとSanDiskは、2026年6月に開催されるVLSI Symposium2026で,MSA-CBAと呼ばれる次世代3Dフラッシュメモリー技術を発表する予定である。VLSI Symposiumの技術ハイライトでは、この発表は1000ワードライン超の3Dフラッシュぬ向けた技術として紹介されている。ワードラインとは、メモリセルを選ぶための配線であり、3D NANDでは層数に近い意味でつかわれる。
MSA-CBAは、Multi-Stacked Cell Array with CMOS directly Bonded to Arrayの略である。メモリセルを形成するセルアレイと、読み書きを制御するCMOS回路を分けて作り、それらを精密に貼り合わせるCBA技術を、さらに複数のセルアレイへ広げた構造である。
MSA-CBA構造（ソース：Neo Tech World）
