SICwaferベースのパワー半導体用放熱基板について
「脱炭素社会時代のパワー半導体」は、デンソーのキャッチフレーズに使用されている。
今回は、SiC-waferベースのパワー半導体用放熱に着目する。
デンソー製パワーカードは、PCU(パワーコントロールユニット)を構成する主要部品で、積層冷却器に挟み込まれ状態で搭載される。パワーカードは、パワー半導体素子(SiC)の両面に放熱板(SiN基板)がサンドイッチされている。 パワー半導体が動作する際に発生する「熱」を効率的に放熱する。
① 東芝マテリアル・京セラ等が、SIN基板を供給している。
https://www.toshiba-tmat.co.jp/product/ce_sin_plain.htm
② 窒化珪素粉(Si3N4)は、デンカ・UBEが供給して居る。
現在は、窒化珪素粉の供給量に対し、需要が拡大してタイトが継続して居る。
中国供給社も存在するが、為替(150円/kg)で国内品に勝てない。
デンカ
https://www.denka.co.jp/product/detail_00037/
UBE
https://www.ube.com/contents/jp/chemical/ceramics/ceramics.html
中国 河北高冨
UBEホームページより;四塩化ケイ素が主原料
CASE(connected:接続)・(autonomous:自動運転)・(shared & services:共有)・(electric:電動)と言われるようにモビリテーは、今後インターネット接続が進んで 半導体がより重要に成る。
⓷ 製造方法
窒化ケイ素は、工業的には、圧縮ケイ素粉末を直接、窒素またはアンモニア気流中で高温
反応させるといった「直接窒化法」によって製造されています。
④ 車載パワー半導体は、過酷な環境で使用される。デンソーホームページから
⑤ パワー半導体(SiC-wafer)の生産が増加すると、SiN白板基板等の需要が急増する。
(IRUNIVERSE EM)
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