左から：住友ベークライト 執行役員 森 健、取締役 専務執行役員 倉知圭介、東北大学 教授 遠藤哲郎（共同運営支援責任）、教授 髙橋良和（運営支援責任者）

 

 

　住友ベークライトと東北大学は９日、次世代半導体向け素材・プロセス共創研究所を東北大学の青葉山キャンパスレジリエント社会構築イノベーションセンター内（仙台市）に設置すると発表した。設置期間は2025年1月1日～28年3月31日の予定。

 

　同研究所では、住友ベークライトの強みである半導体用素材技術と、東北大学の次世代半導体デバイスやパワーエレクトロニクス技術、ナノテラス（3GeV高輝度放射光施設）を活用し、次世代パワーモジュールやチップレット集積技術に求められる素材やプロセスの開発を行う。

 

　運営総括責任者は久保山俊治特任教授（住友ベークライト）が務める。

 

 

取り組みのイメージ

 

 

（IRuniverse K.Kuribara）

 

 

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