方 彥翔氏
タイトル：「台湾半導体産業の最新動向及びITRIにおける化合物半導体の開発戦略」
方 彥翔氏 プロフィール
ITRI電子・光学システム研究所
オプトエレクトロニクス・マイクロデバイス＆システム研究グループ グループ長【略 歴】
ITRI入職後10年以上に渡り化合物半導体の研究開発に従事。リソースの統合、分野を超えたコラボレーション、コアテクノロジーの共同開発などに携わってきた。2017年からITRI電子・光学システム部門 副グループ長、2021年からはITRI電子・光学システム部門 グループ長。日本を含め海外の大手企業との連携プロジェクトにも参画。
【講演要旨】
ワイドバンドギャップ（WBG）半導体 - 窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素 (SiC) などは、高い電子移動度と高い電力変換効率により、通信機器、電気自動車、インダストリー 4.0、再生可能エネルギーなど高電圧電源に適していると言われています。ITRI電子・光学システム研究所では特にパワーデバイス、高周波（RF）などの分野において、長年窒化ガリウムデバイスの研究に注力し、革新的なディスプレイ（Advanced Display）、シリコンフォトニクス（Silicon Photonics）などの技術の国内外の市場拡大に向けて研究開発を推進してきました。
