FinFETアーキテクチャは,10年以上にわたりムーアの法則を支えてきた信頼性の高い基盤でした。しかし,その物理的限界が目前に迫って います。
リーク電流の増大,配線抵抗の上昇.そしてリソグラフィの限界。これらの課題は,もはや既存技術の延長線上では解決不可能です。
業界は今、次世代のコンピューティングを美現するため、全く新しい技術基曜を構築するという歴史的な転換点に立っています。本資料で は、この「オングストローム時代」を定義する3つの技術的支柱と,それを実現するための必須要素を解説します。
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