FinFETアーキテクチャは,10年以上にわたりムーアの法則を支えてきた信頼性の高い基盤でした。しかし,その物理的限界が目前に迫って います。
リーク電流の増大,配線抵抗の上昇.そしてリソグラフィの限界。これらの課題は,もはや既存技術の延長線上では解決不可能です。
業界は今、次世代のコンピューティングを美現するため、全く新しい技術基曜を構築するという歴史的な転換点に立っています。本資料で は、この「オングストローム時代」を定義する3つの技術的支柱と,それを実現するための必須要素を解説します。
(IRuniverse Okamoto)
住友化学 硫酸価格5月出荷分から値上げへ――需要家との交渉開始ほ
2026年2月フェロシリコン輸入統計分析 中国主導に回帰、単価はミックス高で反発
環境省 令８年再生材供給サプライチェーン構築支援事業補助事業者（執行団体）の公募
環境省 令７補正自治体による物価高騰対策に資するリユース等支援事業の二次公募
LMEニッケル価格が一時ほぼ2年ぶり高値 インドネシアの減産方針や硫黄不足で
環境省 令８廃棄物焼却施設の熱回収利用高度化実証事業の採択結果発表
国際海運のカーボンニュートラルのための国際条約に向け日本が提案
合同製鐵：26/3期決算説明会を開催、27/3期は大幅減益予想/中期ビジョン発表
黒鉛電極：インドの電極出について（26年2月）
チタン：英国スポンジチタン国別輸入量（26年2月）
