SiC（シリコンカーバイド）は，p, n 両伝導型の価電子制御が容易な広禁制帯幅半導体である．絶縁破壊電界が Siより約1桁高く，熱伝導率が 3 倍という優れた物性を有して いることから，次世代の高耐圧・低損失パワーデバイス，耐 環境デバイス用材料として期待されている．結晶学的には，SiC は同一の組成で一次元的な積層構造が異なる結晶多形（ポリタイプ）現象を示す物質として有名である．SiC のバルクおよびエピタキシャル成長技術は1980年代にブ レークスルーがあり,それ以降，急速に高品質化，
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