次世代パワーデバイスとしてはSiCとGaNがクローズアップされている。消費電力が低く抑えられ、大電流化が可能であるからである。これらはシリコン（単結晶）基板をベースとして製造されたデバイスよりも、電子移動度が高く、デバイスの高速動作が可能という特長を持っている。
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2023/10/10 11:05
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