〜半導体製造の低コスト化に貢献〜
東ソーは 、窒化ガリウム( 以下 、G a N )スパッタリングターゲット材 ※ 1 を開発し、同社グループの東ソー・スペシャリティマテリアル(本社:山形県山形市)にて製造を開始した。
GaNは、照明向けLEDや小型急速充電器向け部品などで活用されている半導体薄膜材料 。既存の材料よりもエネルギー損失が低く省エネ効果が高いことからデータセンター向けパワー半導体 、ウエアラブルディスプレイ向けマイクロLEDなどの用途で市場成⻑が見込まれている。
GaN半導体製造時の薄膜形成方法はCVD法(気相成⻑法) が主流だが、使用する設備や材料のコストが高いことが課題でした。同社はこれ らの課題を解決するため、製造コストの低いスパッタリング法への置換えに向けたターゲット材の開発を行った。
同社が開発した G a N ターゲット材は、独自の合成・焼結技術による純度の高さが特徴で、CVD法と同等の高結晶性GaNの成膜が可能。現在は装置メーカーによる評価が進んでおり、また大学からも研究用に引き合いが活発化している。
※1 電子機器や半導体製造における成膜方法の一つである、スパッタリング法に使用される材料。真空中 でプラズマを利用して薄膜を形成する。
（IR universe rr）
