半導体・電子材料のグローバルトップメーカー「レゾナック」

 

　レゾナックグループは、売上高約1兆4,000億円のうち半導体・電子材料分野の売上高が約4,000億円を占めます。なかでも注目が集まる半導体後工程材料分野では、圧倒的な規模を持つグローバルトップメーカー。
2社統合により、昭和電工の石油化学、黒鉛電極、基礎化学品などの安定収益事業に、昭和電工マテリアルズの半導体・電子材料という成長ドライバーが加わりました。川中に位置する昭和電工と、市場に近い川下に位置する昭和電工マテリアルズの統合により、統合決定以降、開発や生産での連携を進めてきており、CMPスラリーや銅張積層板などの分野ですでに成果が出てきている。
化学メーカーとして技術課題の解決を通じて持続可能な社会へ貢献するには、業種・業界の枠を超えた協調や連携が大切。レゾナックグループは、「共創型化学会社」を目指しており、共創を通じた価値創出に取り組んでいく。

 

CEO髙橋からの年頭挨拶（要旨）

 

　発足したレゾナックが目指すのは世界トップクラスの機能性化学メーカーです。そのために最も大事なことは、自律的・創造的に行動できる人材が育つ企業文化を醸成することです。
　私はレゾナックを「レゾナックで働いているような人が欲しい」といわれる企業へ変革したいと考えています。戦略がコモディティ化している中で、戦略を実行し、やりきる人材がいるかどうかこそが競争力の源泉だからです。
　昨年はパーパス・バリュー浸透のため、私も含めた経営陣が各拠点を訪問して直接意見交換を重ねてきました。さらに今年は、業務上の困りごとの解決策を一緒に考えるワークショップや、バリューに基づく人事制度、組織を越えたバリュー実践事例の共有、バリューを実践した事例の表彰などを開催します。

　ウクライナ情勢や米中対立など社会のマクロ環境は中長期的に厳しい状況が予想されます。そのような中で、すでに挙げた「人材育成」に加えて重要な施策が「サステナビリティ」「DX（デジタル）」「マーケティング」です。これら４つは、全社で取り組むべきゆるぎない重要施策です。

　サステナビリティは、世界トップクラスの機能性化学メーカーとなるための根幹です。地球環境の危機回避無くして、企業の持続的成長はありません。カーボンニュートラル達成に向けた取り組みをアップデートし、ポートフォリオマネジメントや事業・技術開発へサステナビリティ視点を導入し、ステークホルダーとの関係を強化します。
　グローバルでの戦いにおいて、DXは欠かせません。開発や製造において、人間の経験や勘に代わりAI・MIが台頭しています。顧客との関係構築や販促にもデジタルは不可欠です。今年はDXを実現する基礎を固めて飛躍するための人材育成を強化します。
　VUCAの時代、事業部の垣根を超えて顧客のニーズを把握し、求められる材料を開発していくことも必要です。研究開発とマーケティングの連携も強化し、「作る化学」と「混ぜる化学」の融合をさらに進め、社内外との共創を推進します。
　共創に欠かせないのは、一人一人がプロフェッショナルとして、自律的に枠を超えて動くこと。社会を変え、当社を動かすリーダーは皆さん自身です。
　レゾナック誕生は第二の創業であり、ゴールではなくスタートです。レゾナックグループ一丸となって邁進していきましょう。

 

次世代パワー半導体をリードする6インチSiC単結晶基板「2022年日経優秀製品・サービス賞 最優秀賞」を受賞

 

　株式会社レゾナック（社長：髙橋 秀仁）の6インチ（150mm）SiC単結晶基板が、「2022年日経優秀製品・サービス賞　最優秀賞」を受賞した。

 

　レゾナックはSiCパワー半導体に不可欠なSiCエピタキシャルウェハー*1(以下、SiCエピウェハー)の量産を2009年に始めた。特性均一性*2、低欠陥密度*3などの優れた品質が国内外のデバイスメーカーから高い評価を得て、同社はSiCエピウェハーで外販メーカートップの世界シェア*4を有している。今回「2022年日経優秀製品・サービス賞　最優秀賞」を受賞した6インチSiC単結晶基板は、SiCエピウェハーの主材料。SiCエピウェハーの品質向上や安定供給体制の構築を目的に、レゾナックは昨年、国内で初めて量産を開始*5した。

 

　SiCパワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体に比べ、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーに貢献するデバイスとして注目され、とくに電気自動車（EV）や再生可能エネルギー分野などの各種産業用途での需要が急拡大している。レゾナックグループは「共創型化学会社」として、グローバル社会の持続可能な発展への貢献をめざし、エネルギー効率化を実現するSiCエピウェハーを次世代事業と位置付けて注力している。なお、同社は2022年9月に自社製SiC単結晶基板を使用した200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷*6を開始している。また、さらなる高品質化に向けてグリーンイノベーション基金事業*7にて研究開発を進めている。今後も、“ベスト・イン・クラス”をモットーに、高性能で高い信頼性の製品を供給することで、SiCパワー半導体の普及に貢献していく。

 

• *1　 SiC単結晶基板の表面上にエピタキシャル薄膜を成長させた半導体材料。
• *2　 ウェハーの特性を決める窒素のドープ（添加）が均一にできているということ。SiCパワー半導体はSiCに窒素をドープして製造するが、高電圧用途に用いるにはドープ量を少なくかつ薄く均一にする技術が求められる。
• *3　 1cm2あたり何個の欠陥があるかで判断される。欠陥が存在するとそこから電流が流れてしまいデバイスとして使用できなくなるが、大電流化に対応してSiCチップは大型化するため、デバイスの歩留まり向上には欠陥密度を下げる必要がある。
• *4　 同社推定
• *5　 2022年3月28日 昭和電工発表「SiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始」
• *6　 2022年9月7日 昭和電工発表「200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始」
• *7　 グリーンイノベーション基金（GI基金）：2050年カーボンニュートラルの実現に向け、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に造成された基金。当社は2030年までにSiCエピウェハーとその原材料であるSiCウェハーを200mmかつ欠陥密度を1桁以上低減することを目標に、次世代デジタルインフラの構築プロジェクトの研究開発項目の一つである「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」において、「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」として研究開発を実施している。

 

 

（IR universe rr）

 

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