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住友金属鉱山、パワー半導体材料 SiC 基板の8インチ量産ライン構築を決定

 住友金属鉱山は27日、子会社のサイコックス(本社:東京都港区)の大口工場(鹿児島県伊佐市)に貼り合せ SiC(シリコンカーバイド)基板「SiCkrest®」(サイクレスト®)の8インチ(200mm)量産ラインを構築することを決定したと発表した。すでに販売を始めている6インチ(150mm)基板に続く8インチ基板の投入で、2025年度下期にはSiC基板の月産能力は1万枚(6インチ換算)超の規模にするという。

 

 SiCは主に電力を制御するパワー半導体に使用される材料で、従来のシリコンと比較して高電圧に対応し、エネルギー損失も大幅に低減できるため、ハイブリッド車やEV(電気自動車)などの駆動制御装置で要求される大容量領域(大電流・高耐電圧)で、装置全体の小型化や航続距離の向上につながる材料として注目されているという。

 

 また、SiC 単結晶は製造に多くのエネルギーを必要とするが、単結晶と多結晶の貼り合せ基板であるSiCkrestはエネルギー消費を抑えつつ、供給量を増やすことが可能だという。

 

(IRuniverse G・Mochizuki)

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