半導体の高性能化、高集積化に対応して、接続端子の狭ピッチ化、微細化にパッドピッチもより狭ピッチとなる。さらに、ホールの小径化、高アスペクト比化（＊アスペクト比：ホール径と深さの比。高いほど加工が難しい）を進める必要がある。 このような要求にこたえるため、パッケージ基板、インターポーザにも応力や圧力、熱などのストレスに対する耐性が求められるようになってきた。また2.5Ｄ／3Ｄパッケージという新しいパッケージ構造では、基板上に配線するための再配線層（RDL）、複数のチップを搭載するためのインターポーザにおいて、より微細なパターン形成を可能にするため、前述の性能に加えて、なめらかで欠陥のない表面が求められるようになってきた。新しい基板材料、特に基板の特性を左右する基板コアとしてガラス基板の採用が期待されている。第1回としてガラスコア基板の概要をまとめる。

この記事は会員限定です。お申込み確定後に続きをお読みいただけます。

今すぐ会員登録する ログイン

関連記事