ディスクリート半導体＃８ SiCエピタキシャル成長
2023/07/06 09:27
前回はSiCのウェハ面積と加工費について考察した。Fig1はSiウェハを結晶成長させてインゴット（バルクSiC：Ingot）をバルク生成し、それをウェハする工程を表したものである。
Fig1 SiC生成からエピタキシャル成長させる工程フロー（ソース：CEMAC資料から一部筆者編集）
今回はFig１のNo.8のエピタキシャル成長について考察する。
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