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赤外線センサ市場2018#9 化合物半導体基板について InGaAsとInP

近赤外線領域のうち、SWIR(あるいはNIR)短波赤外光は、通常0.9~1.7μm波長域の光と定義される。場合によっては0.7~2.5μmの波長域で定義づけることもある。 シリコンセンサの感度の上限値は約1µmであるため、SWIRイメージングには特定のSWIR領域においてパフォーマンスを発揮できる独自の光学部品や電子部品が必要となる。このことについては章を改めて説明する。本領域で使用される発光デバイスとりわけ半導体レーザには2
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