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パワーデバイスシリーズ第4世代半導体#3 SICについて 

パワー半導体の切り札として期待されているのがSiC(炭化ケイ素)である。Si半導体の1/100以下の電力損失、数kVの高耐圧性などパワー半導体としてうってつけの特性を持つからである。日本では平成22年~26年の5カ年計画で「低炭素社会を実現する新材料パワー半導
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