SiCウエハのデバイス技術はプロセス技術、構造設計、信頼性技術が向上し、すでに数100A級、数KV級のMOSFETが報告されている。それに伴いSiCデバイスを用いたシステム設計が本格化している。ここまでくると残る課題は商品化にあたってのデバイス価格である。現在SiCウエハは４インチが主流で、６インチウエハが上梓されてはいるが10％程度と言われている。デバイスプロセスコストが高く、また欠陥が多いため、大面積チップの歩留まりも多い。したがってそれを使ったシステムもSiに比べて非常に高いものになっている。

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