岩室 憲幸 氏
タイトル：「パワー半導体デバイス開発の最新状況と今後の動向」
岩室 憲幸 氏 プロフィール
【略 歴】
1984年 早稲田大学理工学部卒業後、富士電機株式会社に入社。
1988年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事。薄ウェハIGBTモジュール「UシリーズIGBT」の開発ならびに製品化。
2009年 (独)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET, SBDの研究、製品開発に従事。
2013年4月より筑波大学 数理物質系 教授。
現在に至る。
1992 - 93年 米国North Carolina State University 客員研究員
1998年：博士（工学）（早稲田大学）
専門：SiCパワーデバイスの設計、動作解析
