1984年　早稲田大学理工学部卒業後、富士電機株式会社に入社。

1988年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事。薄ウェハIGBTモジュール「UシリーズIGBT」の開発ならびに製品化。

2009年　(独)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET, SBDの研究、製品開発に従事。

2013年4月より筑波大学　数理物質系　教授。

現在に至る。

1992 - 93年　米国North Carolina State University 客員研究員

1998年：博士（工学）（早稲田大学）

専門：SiCパワーデバイスの設計、動作解析

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