第1回 SEMICON(半導体)サミット 講演者紹介 筑波大学数理物質系 教授 岩室 憲幸氏
2023/08/01 11:44 FREE
岩室 憲幸 氏
タイトル:「パワー半導体デバイス開発の最新状況と今後の動向」
岩室 憲幸 氏 プロフィール
【略 歴】
1984年 早稲田大学理工学部卒業後、富士電機株式会社に入社。
1988年よりIGBTをはじめパワーデバイスの研究開発に従事。薄ウェハIGBTモジュール「UシリーズIGBT」の開発ならびに製品化。
2009年 (独)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET, SBDの研究、製品開発に従事。
2013年4月より筑波大学 数理物質系 教授。
現在に至る。
1992 - 93年 米国North Carolina State University 客員研究員
1998年:博士(工学)(早稲田大学)
専門:SiCパワーデバイスの設計、動作解析
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