ディスクリート半導体#17 SiC MOSFETの製品群
2023/08/30 09:35
SiC(シリコンカーバイド)は,p, n 両伝導型の価電子制御が容易な広禁制帯幅半導体である.絶縁破壊電界が Siより約1桁高く,熱伝導率が 3 倍という優れた物性を有して いることから,次世代の高耐圧・低損失パワーデバイス,耐 環境デバイス用材料として期待されている.結晶学的には,SiC は同一の組成で一次元的な積層構造が異なる結晶多形(ポリタイプ)現象を示す物質として有名である.SiC のバルクおよびエピタキシャル成長技術は1980年代にブ レークスルーがあり,それ以降,急速に高品質化,
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